Форма осветителя как ключевой фактор при разработке методик дифракционной коррекции изображения в проекционной фотолитографии для технологий уровня 65 нм и менее

Н. Н. Балан, В. В. Иванов, А. В. Кузовков

АО «НИИМЭ», Москва, Зеленоград, Россия

Статья посвящена роли подбора наилучшей формы осветителя при реализации техник повышения разрешения проекционной фотолитографии (RET). Описан принцип влияния внеосевого освещения на разрешающую способность фотолитографии, рассмотрены основные виды внеосевых осветителей, используемых в современной полупроводниковой технологии. Приведены результаты расчета оптимальной формы параметрического осветителя для слоя первого металла в перспективном технологическом процессе.

Ключевые слова: проекционная фотолитография, оптимизация формы осветителя, дифракционная коррекция изображения, коррекция оптической близости.

Цитирование: Балан, Н. Н. Форма осветителя как ключевой фактор при разработке методик дифракционной коррекции изображения в проекционной фотолитографии для технологий уровня 65 нм и менее / Н. Н. Балан, В. В. Иванов, А. В. Кузовков // HOLOEXPO 2019 : XVI Международная конференция по голографии и прикладным оптическим технологиям : Тезисы докладов. — М. : МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2019. — С. 233–241.