Трехмерная лазерная запись на пленках аморфного кремния

А. А. Кутанов, Н. Сыдык уулу, И. А. Снимщиков, В. П. Макаров

Институт физико-технических проблем и материаловедения Национальной академии наук Кыргызской Республики, Бишкек, Кыргызская Республика

Представлены результаты трехмерной лазерной записи изображений на пленках аморфного кремния интерференционного фильтра сфокусированным излучением одномодового полупроводникового лазера с λ = 405 нм. Отлажена технология нанесения толстых пленок аморфного кремния толщиной 1–2 мкм методом магнетронного нанесения. Прямая лазерная запись проводилась на пленки аморфного кремния при изменении глубины фокуса записи в объеме регистрирующей среды. При локальном воздействии сфокусированным излучением на слой аморфного кремния наносекундными импульсами происходит его переход в кристаллическое состояние. За счет рассеяния света на оптических неоднородностях среды после лазерной записи и различной фазы рассеянных волн визуально можно наблюдать трехмерные сцены. Предложенный способ трехмерной лазерной записи на слое аморфного кремния а-Si привлекателен для создания 3D системы лазерной записи изображений и дот матрикс голограмм.

Ключевые слова: трехмерная лазерная запись, пленка аморфного кремния, Blu Ray лазер, рэлеевское рассеяние, точечные голограммы, 3D принтер.

Цитирование: Кутанов, А. А. Трехмерная лазерная запись на пленках аморфного кремния / А. А. Кутанов, Н. С. уулу, И. А. Снимщиков, В. П. Макаров // HOLOEXPO 2018 : XV Международная конференция по голографии и прикладным оптическим технологиям : Тезисы докладов. — М. : МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2018. — С. 71–73.