Шандаров. Дифракционные методы исследования регулярных доменных структур в сегнетоэлектрических кристаллах семейства ниобата и танталата лития
HOLOEXPO 2021: XVIII Международная конференция по голографии и прикладным оптическим технологиям
Назад12/52Далее

Дифракционные методы исследования регулярных доменных структур в сегнетоэлектрических кристаллах семейства ниобата и танталата лития

Станислав Михайлович Шандаров1, Евгений Николаевич Савченков1, Николай Иванович Буримов1, Арсений В. Дубиков1, Дарья Е. Кузьмич1, Дарья А. Губинская1, Мария А. Федянина1, Андрей Ришатович Ахматханов2, Александр Андреевич Есин2, Владимир Яковлевич Шур2

1 Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
2 Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия

Тезисы доклада

Рассмотрены методы исследования параметров созданных в кристаллах семейства ниобата и танталата лития с использованием переключения поляризации под действием внешнего пространственно-периодического электрического поля регулярных структур со 180-градусными доменными стенками, основанные на линейной дифракции световых волн. Экспериментально и теоретически исследованы особенности изотропной и анизотропной дифракции Брэгга на регулярных доменных структурах с наклонными и не наклонными стенками в кристаллах 5%MgO:LiNbO3 и 1%MgO:LiTaO3 как в приложенном электрическом поле, так и в его отсутствие.

Ключевые слова: Регулярные доменные структуры, Дифракция Брэгга, Анизотропная дифракция, Ниобат лития, Танталат лития.

Цитирование: Шандаров, С. М. Дифракционные методы исследования регулярных доменных структур в сегнетоэлектрических кристаллах семейства ниобата и танталата лития / С. М. Шандаров, Е. Н. Савченков, Н. И. Буримов, А. В. Дубиков, Д. Е. Кузьмич, Д. А. Губинская, М. А. Федянина, А. Р. Ахматханов, А. А. Есин, В. Я. Шур // HOLOEXPO 2021 : XVIII Международная конференция по голографии и прикладным оптическим технологиям : Тезисы докладов. — М. : МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2021. — С. 68–76.