Прямая запись микроструктур на пленках аморфного кремния излучением полупроводникового лазера с λ=405 nm
Аскар Асанбекович Кутанов1, Виктор Павлович Корольков2, Нурбек Сыдык уулу1, Роман Игоревич Куц2
1 Институт физики имени академика Ж. Ж. Жеенбаева, Национальная Академия наук, Бишкек, Киргизия
2 Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия
Исследованы возможности полутоновой записи с высоким разрешением на пленках аморфного кремния излучением полупроводникового лазера с λ=405 nm. Эксперименты по прямой лазерной записи проводились на нанолитографе разработанном в Институте ИАЭ СО РАН. Нелинейная зависимость диаметра записываемого элемента на пленках аморфного кремния от энергии импульса лазера открывает возможности для прямой записи микроструктур размером меньше длины волны на тонких слоях а-Si для изготовления фотошаблонов и дифракционных оптических элементов
Ключевые слова: прямая лазерная запись, аморфный кремний, субволновая микроструктура.
Цитирование: Кутанов, А. А. Прямая запись микроструктур на пленках аморфного кремния излучением полупроводникового лазера с λ=405 nm / А. А. Кутанов, В. П. Корольков, Н. Сыдык уулу, Р. И. Куц // XIX Международная конференция по голографии и прикладным оптическим технологиям : Тезисы докладов. — Барнаул: ИП Колмогоров И. А., 2022. — С. 78–83.