Тонкие халькогенидные пленки — голографические среды для устройств дополненной реальности
Владимир Николаевич Борисов1, Николай Викторович Муравьев1, Михаил Вячеславович Попов1, Роман Александрович Окунь1, Александр Евгеньевич Ангервакс1, Гаврил Николаевич Востриков1, Сергей Александрович Козюхин2, Сергей Александрович Иванов3
1 ООО «Исследовательский Центр Самсунг», Москва, Россия
2 Институт общей и неорганической химии имени Н. С. Курнакова РАН, Москва, Россия
3 Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Теоретически и экспериментально исследованы голографические характеристики халькогенидных пленочных материалов с типичной толщиной 0,5–1,5 мкм ряда составов Ge-As-S с целью их использования в волноводных устройствах дополненной реальности. Показана возможность управления спектральными и голографическими свойствами материалов путем варьирования их состава. Проведена запись как объёмных, так и поверхностных голограммных элементов, работающих в режиме полного внутреннего отражения. Продемонстрирована работа голограмм на халькогенидных пленках в «перископном режиме» с достижением дифракционной эффективности более 10%. Запись высокоэффективных голограммных элементов на халькогенидных плёнках требует существенных значений энергии экспозиции при записи в ближнем УФ-диапазоне (325 нм, 355 нм), что делает голографическую запись малоэффективной техникой создания таких элементов.
Ключевые слова: Дополненная реальность, Халькогениды, Голограммы, ГОЭ, ДОЭ.
Цитирование: Борисов, В. Н. Тонкие халькогенидные пленки — голографические среды для устройств дополненной реальности / В. Н. Борисов, Н. В. Муравьев, М. В. Попов, Р. А. Окунь, А. Е. Ангервакс, Г. Н. Востриков, С. А. Козюхин, С. А. Иванов // HOLOEXPO 2021 : XVIII Международная конференция по голографии и прикладным оптическим технологиям : Тезисы докладов. — М. : МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2021. — С. 276–284.