Магнито-индуцированная невзаимность в резонансных кремниевых волноводах с высокой степенью поперечного вращения электрического поля
Никита Геннадьевич Юхтанов1, Михаил Валерьевич Рыбин1, 2
1 Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2 Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Невзаимные устройства в реализации на чипе очень важны для управления световыми сигналами в современной фотонике. Невзаимность часто вызвана магнитооптическими эффектами, но реализовать не сонаправленные магнитные поля в масштабе чипа сложно. Удобно прикладывать внешнее магнитное поле в направлении перпендикулярном плоскости чипа (геометрия Фойгта), что приводит к модам с поперечным вращением электрического поля в плоскости. В нашей работе мы изучаем резонансные кремниевые волноводы, которые не содержат магнитных материалов и поддерживают такие моды. Такие наноструктуры основаны на коммерчески доступных SOI пластинах со стандартной высотой 220нм. Змеевидное изгибание изучаемых волноводов позволяет использовать их в качестве фазовых накопителей и предложить схему оптического изолятора на чипе.
Ключевые слова: Резонансные волноводы, Фотонные интегральные схемы, Магнето-индуцированная невзаимность, Фазовращатель, Фотонный кристалл.
Цитирование: Юхтанов, Н. Г. Магнито-индуцированная невзаимность в резонансных кремниевых волноводах с высокой степенью поперечного вращения электрического поля / Н. Г. Юхтанов, М. В. Рыбин // HOLOEXPO 2023: 20-я Международная конференция по голографии и прикладным оптическим технологиям (Сочи, 12–15 сентября): Тезисы докладов. — СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2023. — С. 74–77.